Điện tử cơ bản toàn tập

     

Bài giảng "Điện tử cơ bản: Ôn tập - Công thức" hệ thống hóa lại toàn bộ các kỹ năng và kiến thức cơ phiên bản và những công thức sẽ học giành riêng cho các bạn sinh viên hoàn toàn có thể dễ ợt ôn tập lại những kiến thức về định lao lý mạch điện, những hoạt dộng với công thức linh phụ kiện, phân tích các yếu tố phi tuyến đường, mạch khuếch tán biểu hiện nhỏ, năng lượng với hiệu suất,... Mời chúng ta thuộc tham khảo nội dung chi tiết.




Bạn đang xem: Điện tử cơ bản toàn tập

*

GT. ĐIỆN TỬ CƠ BẢN ÔN TẬPhường – CÔNG THỨC 1 A. Các định nguyên lý mạch năng lượng điện n Vk  0, n• Định cách thức Kirchhoff về nuốm k 1 , về mẫu  i j  0 j 1• Định lý Thevenin VTH, RTH, Norton IN, RN = RTH• Công thức cầu phân tách thế• Công thức cầu phân chia dòng• Nguim lý chồng chập (xếp chồng) x1 Mạch x2 y= y1(t) + y2(t) 2 B.Cách chuyển động và phương pháp linh kiện• Nối pn- Diod• MOSFET• BJT• Op.Amp. 31. MOSFET 4• Biểu thức năng lượng điện thay với mẫu điện a.Biểu thức điện thay Dựa vào định hướng với quánh con đường, quỉ tích các điểm có VDSBH đến bởi: VDSBH = VGS – VTH (1). b. Biểu thức mẫu năng lượng điện bay ID.

Xem thêm: Cách Kiểm Tra Số Dư Tài Khoản Vpbank Nhanh Chóng, Đừng Lo, Đã Có 6 Cách Lấy Lại Nhanh Chóng

- Trong vùng điện trở : VGS VTH tuyệt VDS > VGS-VTH ta có : ID = k(VGS – VTH )2 (3) k=K/2 hằng số tuỳ ở trong linh kiện . 5Transistor nối lưỡng cực-BJT• Công thức cái điện I E  IC  I B IC   I E  IC   I B   1• Phân cực: - Tính điểm tĩnh quản lý và điều hành ( IB,IC, VCE) - Đường sở hữu tĩnh (DCLL)• Khuếch đại ( chính sách rượu cồn, AC):• - Tính Ri, AV, AI, Ro• Ba phương pháp ráp: CE, CB, CC ( tốt EF) 6.Biểu thức dòng điện vào BJT ( ráp CE)• Theo định nguyên lý Kirchhoff ta có: IE = IB + IC (1)• Theo giải pháp hoạt động vui chơi của BJT vừa xét có: IE = InE + IpE = InE (2)  IC = Inc + Ico (3)call hệ số truyền đạt chiếc năng lượng điện phạt – thu : số đ t td cho rất thu InC IC sốđttd phát đ từ bỏ rất phạt InE IE Txuất xắc vào (3) cho: Ic = IE + ICO = IE + ICBO (4)  1 IC  I  I   I B     1 I CO (5) 1 B 1 CO  1  ;  1  7 1 1.Cách ráp cực phát phổ biến ( CE-comtháng emitter) Co Ci Q RC + RB Vo vi RL - + + VCC VBB Do: Tín hiệu vào nền – phân phát BE Tín hiệu ra thu – vạc CE Cả 2 ngõ vào và ra có cực phạt thông thường 8 Mạch tương tự (AC)  1 IC  I B  1 I   I B     1 I CO (5) 1 CO  1  ;  1  1 1 B C+B ic c rbb ++ rc + ic ib vbe ib Bib rc vce rbe ie re vbe vce - - - - e E 9 C. Phân tích những yếu tố phi tuyến• Cách khoảng vật dụng nhứt• Cách sấp xỉ lắp thêm hai• Cách gần đúng thứ ba• Phương phdẫn giải tích df  vD  1 d f  vD  2 iD  f VD   dvD vD  VD  vD   2! dvD vD  VD 2  vD   .... 2 df  vD  iD  f VD    vD  dvD vD  VD• Phương pháp thiết bị thị 1011 D. Cổng logic• Các định hiện tượng đại số Boole• Phương pháp rút gọn hàm logic• Các cổng logic: AND, OR, NAND, NOR…• Logic tổng hợp D D iDS• Logic tuần từ G G OFF ON vGS VTH S S VT = 1V 12Inverter (Maïch Ñaûo) VDD = 5 V RL B A vout 5VA B =/A 0 VT =1V 5V vin 13 Cách chuyển động cơ chế giao hân oán • lúc không có xungvào:MOSFET không dẫn . Ta có: +VDD R DS (off ) V o (off )  VDD  V DD  VOH RD RD  R DS ( off )    20V   20V 1k    Vo • Lúc bao gồm xung vào: MOSFET dẫnR RDS(off) Ta có: R DS (on) +VDDV o (on)  V DD  0V  VOL R D  R DS (on) 10   20V   0,198V  0, 2V 1k   10 Vo RDS(ON) 14 Möùc ñieän theá súc tích qui ñònh cuûa MOSFET:VOH max Möùc ngắn gọn xúc tích 1 VIHmaxVOHmin Möùùc logic1 NM VIHmin Khoâng Khoâng xaùc ñònh xaùc ñònh NM VILmaxVOLmax Möùc xúc tích và ngắn gọn 0 Möùc logic0VOLmin VILmin 1 VOH 1 VOH min VIHmin Leà nhieãu V  VOH min  VIH min Sender Khoâng Receiver NMH xaùc ñònh VIL max VNML  VOL max  VIL max 0 VOLmax Leà nhieãu 0 0 0 15• Hàm số truyền ra – vào vo Vo = f(vi) VS VOH VOL 0 VTHVIL VIH VS vi(V) Thí dụ: Cho Vs = 5V, VOH =4,4V, VOL = 0,5V vo(V) ViH = 3,2V, ViL=1,6C 5V 4,4 V 0,5V 0 1 1,6 3,2 5 Vi(V) 16 E. Khuếch đại tín hiệu lớn• MOSFET• Điện rứa ra cho vày K  vi  VTH  RL 2 vO  VS  2 Daûi ñieän theá ngoõ vaøo cöïc đaïi: 1  1  2 KRLVS VTH  vI  VTH  KRL vGS  VTH Daûi ñieän aùp ra cöïc ñaïi: vDS  vGS  VTH 1  1  2 KRLVS VS  KRL Daûi dong thoaùt töông öùng: K 0 I   2 v VTH 2 17Ñoä lôïi ñieän theá coøn goïi laø haøm soá truyeàn: Vsvo cutoff Bieân ñoä cuûavo vuøng (vi – VTH) ñoä doác lôùnVs hôn moät MOSFET trong vuøng baûo hoaø VTH vi  vôùi ( vO > vi – VTH vaø vi VTH) Vuøng diod (vo • Dưới dạng: K VI  VTH  2 iD  I D  id   K VI  VTH  vi 2• Với yếu tắc DC cùng yếu tắc gia tăng: K I D  VI  VTH  , 2 2 id  K VI  VTH  vi• Đồ thị biểu diễn: iDS K  vGS  VTH  2Nhận xét: iD Ids 2 KID  VI  VTH   h.s., DCbias 2 2 Điểm phân rất IDid  K VI  VTH  vi  g m vi Vgsgm thông số hỗ dẫnVá: VGS = VI 0 vTH VI vi vGS 19Thí duï 2 :Cho maïch khueách ñaïi MOSFET nhö thí duï 1, MOSFET hoaït ñoängvào ñieàu kieän baûo hoaø vôùi daûi ñieän theá vaøo 1V 1,9V, ta phaûi choïnñieän theá vaøo ñieåm hoaït ñoäng taïi trò soá trung taâm daûi ñoäng ñoù, goïiVi = 1,45V. Söï choïn löïa naøy ñöôïc bieåu dieãn treân hình veõ laïi döôùi ñaây: iD(mA)0,50,41 VGS = 1,9V Ñieåm hoaït ñoäng Q(4V, 0,1 mA)0,1 vGS = 1,45V vGS = 1 V 0 0,9 4 5 vDSTa bieát ngoõ ra thay ñoåi giöõa 0,9V vaø 5V Lúc ngoõ vaøo núm ñoåi giöûa 1Vvaø 1,9V. 20

Chuyên mục: Đầu tư